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Programmable Back Biased Hall-Effect
Switch with TPOS Functionality
13
Allegro MicroSystems, LLC
115 Northeast Cutoff
Worcester, Massachusetts 01615-0036 U.S.A.
1.508.853.5000; www.allegromicro.com
ATS636LSE
Power Derating  SE Package
Due to internal power consumption, the junction temperature
of the IC (junction temperature, T
J
) is higher than the ambient
environment temperature, T
A
. To ensure that the device does not
operate above the maximum rated junction temperature use the
following calculations:
     擳 = P
D
 ?R
窲A
 
Where:
      P
D
 = V
CC
 ?I
CC
  4擳 = V
CC
 ?I
CC
 ?R
窲A
 
Where 擳 denotes the temperature rise resulting from the ICs
power dissipation.
 
 T
J
 = T
A
 + 擳
     R
窲A
 = 77癈/W
  T
J
(max) = 165癈
Typical T
J
 calculation:
 
T
A
 = 25癈
     V
CC
 = 5 V
    I
CC(on)
 = 5.5 mA
     P
D
  = V
CC
 ?I
CC
 = 5 V ?5.5 mA = 27.5 mW
     擳 = P
D
 ?R
窲A
 = 27.5 mW ?77癈/W = 2.0癈
 
 T
J
 = T
A
 + 擳 = 25癈 + 2.0癈 = 27.0癈
Maximum Allowable Power Dissipation Calculation:
 
 T
J
 = T
A
 + 擳
   T
J
(max) = 165癈, if T
A
 = 150癈
then:
     165 = 150 + 擳
     擳 = 15癈
     擳 = P
D
 ?R
窲A
 (R
窲A
 = 77癈/W)
  \ P
D
(max) = 15癈 / 77癈/W = 195 mW at T
A
 = 150癈
Maximum V
CC
 for P
D
(max) = 111 mW at T
A
= 150癈
 
P
D
 = V
CC
 ?I
CC
 , I
CC
 = 10 mA (max) at 150癈
     V
CC
 = P
D
 / I
CC
 = 195 mW / 5.5 mA = 35.4 V
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
20   40   60   80  100  120  140  160  180
Temperature (癈)
Power Dissipation versus Ambient Temperature
(R
JA 
= 77 篊/W)
2-layer PCB
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